大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于材料科技发展新趋势的问题,于是小编就整理了3个相关介绍材料科技发展新趋势的解答,让我们一起看看吧。
材料行业现状和前景?
材料行业蓬勃发展,前景非常看好。
我国新材料产业产值从2011年的0.8万亿元增至2019年的4.5万亿元,年均复合增速超过20%。预计到2025年产业总产值将达到10万亿元。
光响应高分子材料的发展前景?
光响应高分子材料是指吸收光能后,能够在分子内或分子间产生化学或物理变化的一类功能高分子材料。
伴随着分子结构与形态的改变,材料表现出某些宏观性质的变化,如在光***下发生形状、颜色或者折射率的变化等。
光能具有环保性、远程可控性、瞬时性等优异的特性,因此光响应性高分子材料受到了越来越多的关注。
通过合理的设计,光响应高分子材料可以产生光致形变或具有形状记忆功能,完成诸如伸缩、弯曲、爬行、转动等一些复杂的运动,并且可以制作成多种柔性智能执行器,在人工肌肉、微型机器人、微泵、微阀等领域有着广泛的应用前景。
高分子材料作为一种重要的材料,经过约半个世纪的发展巳在各个工业领域中发挥了巨大的作用。从高分子材料与国民经济、高技术和现代生活密切相关的角度说,人类已进人了高分子时代。高分子材料工业不仅要为工农业生产和人们的衣食住行用等不断提供许多量大面广、日新月异的新产品和新材料又要为发展高技术提供更多更有效的高性能结构材料和功能性材料。
鉴于此,我国高分子材料应在进一步开发通用高分子材料品种、提高技术水平、扩大生产以满足市场需要的基础上重点发展五个方向:工程塑料,复合材料,液晶高分子材料,高分子分离材料,生物医用高分子材料。近年来,随着电气、电子、信息、汽车、航空、航天、海洋开发等尖端技术领域的发展和为了适应这一发展的需要并健进其进步的发展,高分子材料在不断向高功能化高性能化转变方面日趋活跃,并取得了重大突破。
尽管高分子材料因普遍具有许多金属和无机材料所无法取代的优点而获得迅速的发展,但目前业已大规模生产的还是只能寻常条件下使用的高分子物质,即所谓的通用高分子,它们存在着机械强度和刚性差、耐热性低等缺点。而现代工程技术的发展,则向高分子材料提出了更高的要求,因而推动了高分子材料向高性能化、功能化和生物化方向发展,这样就出现了许多产量低、价格高、性能优异的新型高分子材料。
sic器件的发展与前景?
回答如下:SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件,相较于传统的硅材料,SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此,SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。
随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展,SIC器件的性能得到了不断提升,同时成本也在不断降低,使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测,未来几年SIC器件市场规模将不断扩大,预计到2025年,全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。
1.碳化硅(SiC)的定义
碳化硅(SiC)电力电子器件是指***用第三代半导体材料SiC制造的一种宽禁带电力电子器件,具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式,SiC电力电子器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基(JBS)二极管、PiN二极管和超结二极管;功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管(MO***ET)、结型场效应开关管(JFET)、双极型开关管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、门极可关断晶闸管(GTO)和发射极可关断晶闸管(ETO)等。
2.技术优势
碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅器件相比具有以下突出的优点:
(1)具有更低的导通电阻。在低击穿电压(约50V)下,碳化硅器件的比导通电阻仅有1.12uΩ,是硅同类器件的约1/100。在高击穿电压(约5kV)下,比导通电阻提高到25.9mΩ,却是硅同类器件的约1/300。更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗,从而能获得更高的整机效率。
(2)具有更高的击穿电压。例如:商业化的硅肖特基二极管通常耐压在300V以下,而首个商业化的碳化硅肖特基二极管的电压定额就已经达到了600V;首个商业化的碳化硅MO***ET电压定额为1200V,而常用的硅MO***ET大多在1kV以下。
(3)更低的结-壳热阻,使得器件的温度上升更慢。
(4)更高的极限工作温度,碳化硅的极限工作稳定可有望达到600℃以上,而硅器件的最大结温仅为150℃。
(5)更强的抗辐射能力,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。
(6)更高的稳定性,碳化硅器件的正向和反向特性随温度的变化很小。
到此,以上就是小编对于材料科技发展新趋势的问题就介绍到这了,希望介绍关于材料科技发展新趋势的3点解答对大家有用。